logo
 
首页-> 应用方案
8位单片机应用方案
16位单片机应用方案
用C语言操作SPMC75内部FLSASH
文章来源:凌阳单片机推广中心  发布时间:2006-2-16 12:17:43

摘  要: SPMC75系列单片机的内部程序存储器采用Flash,其中有一部分Flash在程序自由运行模式下可以由程序擦除、写入,本文主要介绍采用 C语言编程操作SPMC75系列单片机内部Flash的方法。
关键词:SPMC75
 
1 引言
  支持C语言几乎是所有微控制器程序设计的一项基本要求,当然SPMC75系列单片机也不例外。μ'nSPTM 指令结构的设计就着重考虑对C语言的支持,GCC就是一种针对μ'nSPTM 操作平台的ANSI-C编译器。但是在应用中对于程序的设计,特别是C和ASM混合使用的时候有些地方是需要注意的,在C中如何嵌入ASM也是一个不可回避的问题。

2 SPMC75单片机FLASH硬件资源分析
  SPMC75系列微控制器Flash分为两区:信息区和通用区,在同一时间只能访问其中的一区。信息区包含64个字,寻址空间为0x8000 ~ 0x803F。地址0x8000为系统选项寄存器P_System_Option。其他地址空间可由用户自定义重要信息比如:版本控制、日期、版权、项目名称等等。信息区的内容只有在仿真或烧录的状态下才能改变。
  32k字的内嵌Flash(embedded Flash)被划分为16个页,每页2K字,每页可分为8块,这样32K的Flash就可以分成128个块。只有位于00F000 ~00F7FF区域的页在自由运行模式下可以设置为只读或可读可写,其他页均为只读。SPMC75系列微控制器的32K字的内嵌式闪存结构入下图2-1和图2-2。

图2-1信息区结构                     图2-2页和帧结构

2.1  FLASH操作
◆ FLASH相关寄存器
  Flash有两个控制寄存器:P_Flash_RW ($704D)和P_Flash_Cmd  ($7555).。
  P_Flash_RW ($704D)是Flash访问控制接口,用连续两次写操作进行设置,这样避免误写入。首先向该寄存器写入$5a5a,然后在16个CPU时钟周期内再向该寄存器写入设置字。

表 2-1 Flash寄存器和系统寄存器

地址

寄存器

名称

704Dh

P_Flash_RW

内嵌 Flash 的访问控制寄存器

7555h

P_Flash_Cmd

内嵌 Flash 的控制寄存器

  P_Flash_RW ($704D):内嵌的Flash访问控制寄存器
  P_Flash_RW ($704D)是Flash访问控制接口,用连续两次写操作进行设置,这样避免误写入:首先向该寄存器写入$5a5a,然后在16个CPU时钟周期内再向该寄存器写入设置字。

B15

B14

B13

B12

B11

B10

B9

B8

R

R/W

R

R

R

R

R

R

1

0

1

1

1

1

1

1

保留

BK14WENB

BK13WENB

BK12WENB

BK11WENB

BK10WENB

BK9WENB

BK8WENB


B7

B6

B5

B4

B3

B2

B1

B0

R

R

R

R

R

R

R

R

1

1

1

1

1

1

1

1

BK7WENB

BK6WENB

BK5WENB

BK4WENB

BK3WENB

BK2WENB

BK1WENB

BK0WENB

  用控制寄存器将页设置内嵌FLASH为只读或可读可写模式。

\

类型 ( 默认 )

描述

B[15]

保留

B[14]

R/W (0)

Bank 14

Frame 112~119

F000h-F7FFh 访问控制

1= 只读

0= 读 / 写

B[13:0]

保留

  P_Flash_Cmd  ($7555):内嵌的Flash访问控制寄存器
  用于处理Flash的指令,见表2-3

B15

B14

B13

B12

B11

B10

B9

B8

W

W

W

W

W

W

W

W

0

0

0

0

0

0

0

0

FlashCtrl


B7

B6

B5

B4

B3

B2

B1

B0

W

W

W

W

W

W

W

W

0

0

0

0

0

0

0

0

FlashCtrl

表 2-2 指令功能和操作流程

块擦除

单字写模式

连续多字写模式

第一步

P_Flash_CMD = 0xAAAA

第二步

[ P_Flash_CMD ] = 0x5511

[ P_Flash_CMD ] = 0x5533

[ P_Flash_CMD ] = 0x5544

第三步

设置擦除地址

写数据

写数据

第四步

自动等待 20ms 后结束

自动等待 40us 后结束

自动等待 40us

未写完则转向第二步

[ P_Flash_CMD ]= 0xFFFF à 操作结束令

2.2  FLASH操作使用举例
◆ Flash块擦除操作

 

//擦除Flash的第14页的第0块
P_Flash_CMD->W = 0xAAAA; //写控制命令
P_Flash_CMD->W = 0x5511; //写入块擦除命令
//要檫除的块任一地址写入任意数据,则擦除此块
P_WordAdr = (unsigned int *)0xF000;
*P_WordAdr = 0x5555;

◆ Flash单字写操作

 

//擦除Flash的第14页的第0块
//写控制命令
P_Flash_CMD->W = 0xAAAA;
//写入块擦除命令
P_Flash_CMD->W = 0x5511;
//0xF000单元写入数据0x5555
P_WordAdr = (unsigned int *)0xF000;
*P_WordAdr = 0x5555;

  Flash的特点是编程数据写入时只能将1变成0,不能从0变成1。因此,用户在对Flash编程之前,必须首先执行Flash块擦除或者页擦除命令,这样就可以将数据从0"擦除"为1。

◆ Flash连续写操作
采用连续编程模式向Flash的0xF000 到 0xF060地址空间连续写入数据。

 

// 写数据到 0xF001~0xF060的连续单元中,设这段空间已经擦//除过。
P_WordAdr = (unsigned int *)0xF001;
uiData = 11;
P_Flash_CMD->W = 0xAAAA; //写控制命令
for(i = 1;i <= 96;i ++)
{
   P_Flash_CMD->W = 0x5544; //写入连续数据写命令
   *P_WordAdr = uiData; //写入数据
   uiData ++;
   P_WordAdr ++;
}
P_Flash_CMD->W = 0xFFFF; //结束数据写入操作

3  参考文献
【1】SUNPLUS       SPMC75编程指南            www.sunplusmcu.com  

                            
 相关文章                                                      [top]
 ·凌阳DMC工具的使用 [2006-11-14]
版权所有:北京凌阳爱普科技有限公司 京ICP备05061966号 未经许可网站内容严禁复制、转载,任何人不得擅自使用
友情链接:凌阳爱普 嵌入式培训 安卓培训 凌阳大学计划 北京嵌入式培训 深圳嵌入式培训 成都嵌入式培训